晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()


相关考题:

关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大

晶体管结构特点是:发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

以下哪个条件不能使晶体管具有良好的放大性能A.发射结正偏,集电结也正偏B.发射区高掺杂C.基区宽度较小D.集电区低掺杂

制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。

11、为保证放大模式的应用,BJT在工艺制造中需满足()。A.发射区掺杂浓度最高B.基区宽度极薄C.集电结面积远远大于发射结面积D.发射区和集电区掺杂浓度一样E.基区足够宽F.集电结面积和发射结面积一样大

7、要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法()。A.增大基区掺杂浓度B.减小基区掺杂浓度C.增大基区宽度D.减小基区宽度