三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。() 此题为判断题(对，错)。
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。() 此题为判断题(对，错)。
第二类回火脆性产生的原因是（）的缘故。A、晶粒边界杂质浓度增高B、晶粒边界杂质浓度降低C、晶粒内部杂质浓度增高D、晶粒内部杂质浓度降低
晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A、杂质浓度低，对结晶无明显影响B、杂质浓度高，影响结晶纯度C、杂质浓度高，改变晶习D、杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求（）杂质浓度要远大于（）杂质浓度，同时基区厚度要很（）；另一方面要满足外部条件，即发射结要（）偏置、集电结要（）偏置。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。A对B错
单选题结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A杂质浓度低，对结晶无明显影响B杂质浓度高，影响结晶纯度C杂质浓度高，改变晶习D杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
填空题每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。