对功率放大电路的主要技术性能有哪些要求() A、输出功率要足够大B、转换效率要高C、三极管的功耗要小D、非线性失真要小E、三极管的工作要安全、可靠。
晶体管三极管放大条件是( )。 A.发射结要正向偏置B.发射结要正向偏置，集电结要反向偏置C.集电结要反向偏置D.发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
为了保证三极管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、()。 A.集电结正向偏置B.集电极反向偏置C.集基极正向偏置D.集电结反向偏置
为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。 A.掺杂少B.鼠掺杂多C.纯净D.不掺杂
为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区搀杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。
晶体三极管有哪两种类型？它们的电流放大作用应满足什么条件？
为了保证晶体管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区（）厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。A、掺杂少B、鼠掺杂多C、纯净D、不掺杂
晶体三极管放大区的特点是集电极电流受基极电流控制，即三极管有电流放大作用。
三极管要具有电流放大作用，其发射结须加（），集电结须加（）。
教师的仪表要符合两方面的要求。一方面，教师要具有（）美，即衣着、发式要整洁大方，符合教师形象。另一方面，教师要具有（）美，即气质、举止稳重端庄，姿态动作落落大方，体现教师的内在修养。
要使三极管能够正常进行电流放大，在（）要加正向偏置电压，（）要加反向偏置电压
为了保证三极管的电流放大．一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。A、集电结正向偏置B、集电极反向偏置C、集基极正向偏置D、集电结反向偏置
晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
晶体三极管有两个PN结，即（）结和（）结；要具有电流放大作用必须具备的外部条件是（）和（）
三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算（）、（）、（）三个值。
三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个内部条件是（）和（）。
三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。
晶体管三极管放大条件是（）。A、发射结要正向偏置B、发射结要正向偏置，集电结要反向偏置C、集电结要反向偏置D、发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
振荡电路要满足自激振荡的条件有（）A、选频条件B、幅值条件C、相位条件D、放大条件E、锁相条件
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
判断题为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区搀杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。A对B错
问答题为了使三极管能有效地起放大作用，对三极管的发射区掺杂浓度有什么要求、基区宽度有什么要求、集电结面积比发射结面积大小有何要求。其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用（即三极管反接），能否起放大作用？