当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度

当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。

  • A、增大基区掺杂浓度
  • B、减小基区宽度
  • C、减小发射结面积
  • D、增大集电区杂质浓度

相关考题:

当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。() 此题为判断题(对,错)。

当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态

二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。() 此题为判断题(对,错)。

电晕电流的变化主要是()控制,同时受到自身空间电荷的限制。A电场力B电极C电压D控制系统

电晕电流的变化主要是由电极控制,同时受到自身空间电荷的限制。()A对B错

电晕电流的变化主要是由电极控制,同时受到自身空间电荷的限制。()

当晶体管的发射结正偏,集电结正偏时,晶体管处于饱和状态。

当晶体管的发射结正偏,集电结正偏,晶体管处于饱和状态。

最大励磁电流限制器作用?采用何种特性?它有哪些限制值?

手工电弧焊时,由于使用电流受到限制,故其静特性曲线无上升特性区。

当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在()A、截止区B、放大区C、饱和区

限制晶体管集电极工作电流的主要原因是它的电流放大系数在()。A、大电流时上升B、大电流时下降C、小电流时上升D、小电流时下降

直流调速系统中,当电机全压起动或堵转时,电枢电流会变得很大,为了限制电枢电流,可增加()环节,这时直流调速系统的机械特性分为两段直线,常称为下垂特性或挖土机特性。

晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的()电阻。A、基极B、集电极C、限流D、降压

二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。

限流电抗器主要装在出线端或母线间,其主要目的是:当线路或母线发生故障时,()。A、限制负载电流;B、限制无功电流;C、限制短路电流;D、限制有功电流。

造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应C、基区电导调制效应,基区有偏压效应D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。

当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。()

在晶体管驱动电路中,开关晶体管的驱动电流IC必须足够大,否则晶体管会增加其管压降来限制其负载电流,从而有可能使晶体管超过允许功耗而损坏。

工作在放大状态的晶体管,流过集电结的主要是()A、扩散电流B、漂移电流

晶体管有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。

JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中,功耗限制电阻的作用是()A、限制集电极功耗B、保护晶体管C、把集电极电压变化转换为电流变化D、限制集电极功耗,保护被测晶体管

三极管当()开路时,在集电结加反向电压时,这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流,用符号()表示。

填空题当晶体管处于放大区时,理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而()。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而(),这称为()效应。

填空题直流调速系统中,当电机全压起动或堵转时,电枢电流会变得很大,为了限制电枢电流,可增加()环节,这时直流调速系统的机械特性分为两段直线,常称为下垂特性或挖土机特性。

填空题晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结()偏、集电结()偏时的()电流与()电流之比。