三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()


相关考题:

三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

关于BJT的结构特点,以下说法错误的是()A.基区很薄,掺杂浓度很低B.发射区的掺杂浓度远大于集电区C.基区的掺杂浓度远大于集电区D.集电区面积大于发射区面积

1、BJT的三个区,()的掺杂浓度最低A.发射区B.基区C.集电区D.三者一样

制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。

15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。

4、关于BJT的结构特点,以下说法错误的是()A.基区很薄,掺杂浓度很低B.发射区的掺杂浓度远大于集电区C.基区的掺杂浓度远大于集电区D.集电区面积大于发射区面积