扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。() 此题为判断题(对，错)。

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()

此题为判断题(对，错)。

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晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
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半导体二极管加正向电压时，有（）。A电流大电阻小B电流大电阻大C电流小电阻小D电流小电阻大
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，杂质浓度越大，扩散电流越大。
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。
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硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？A．应再扩散71minB．表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度；C．应再扩散31 minD．杂质表面浓度=NsE．杂质表面浓度＜Ns
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