下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT

下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）

  • A、GTO
  • B、功率晶体管
  • C、功率场效应管
  • D、1GBT

相关考题：

有关电力MOSFET的说法错误的是()。 A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题
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GTR存在二次击穿现象。()
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P-MOSFET存在二次击穿现象。()
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下列说法正确的是()。A、在电场的作用下，由电介质组成的绝缘间隙丧失绝缘性能形成导电通道的现象称为击穿B、击穿电压是指使绝缘击穿的最高临界电压C、发生击穿时在绝缘中的最大平均电场强度叫做击穿场强D、以上说法都正确
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什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。
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电压互感器在运行中如果发生短路现象，二次电路的（）会大幅度降低，将产生很大的（），使二次绕组严重过热而烧毁。
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某试验站进行试品的工频耐压试验，当出现下列（）情况时，可以认为耐压合格A、在试品瓷套表面发生了表面局部放电现象，但未发生线端对地的闪络或击穿B、试品出现冒烟、出气及击穿响声现象C、试验中无破坏性放电发生D、试品出现闪络、燃烧现象
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当GTR发生的二次击穿，（）
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电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
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GTR的主要缺点之一是（）A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象
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功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
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运行中的电流互感器二次开路后可能出现（）的危险现象。A、一次电压指示升高B、二次电流指示为零C、噪声增大D、绝缘击穿
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（）手机ESD器件损坏的较多，故障现象一般为击穿A、被摔B、光照C、进水D、充电
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功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
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关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
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（）存在二次击穿现象，（）存在擎住现象。
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电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
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试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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某试验站进行试品的工频耐压试验，当出现下列（）情况时，可以认为耐压不合格。A、试验中无破坏性放电发生B、试品出现冒烟、出气及击穿响声现象C、在试品瓷套表面发生较强烈的表面局部放电现象，但未发生线端对地的闪络或击穿D、试品出现闪络、燃烧现象
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单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
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填空题（）存在二次击穿现象，（）存在擎住现象。
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填空题当GTR发生的二次击穿，（）
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填空题功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
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问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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多选题运行中的电流互感器二次开路后可能出现（）的危险现象。A一次电压指示升高B二次电流指示为零C噪声增大D绝缘击穿
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判断题IGBT没有二次击穿现象。A对B错
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单选题下列说法正确的是（）。A在电场的作用下，由电介质组成的绝缘间隙丧失绝缘性能形成导电通道的现象称为击穿B击穿电压是指使绝缘击穿的最高临界电压C发生击穿时在绝缘中的最大平均电场强度叫做击穿场强D以上说法都正确
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