有关电力MOSFET的说法错误的是()。 A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题

有关电力MOSFET的说法错误的是()。

A.属于电压控制器件

B.开关速度慢

C.工作频率高

D.无二次击穿问题

相关考题：

SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。

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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

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30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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5、电力MOSFET导通的条件是（）且（）。

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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有。A．IGBT是电压驱动型器件B．IGBT具有擎住效应C．IGBT开关速度高于电力MOSFETD．电力MOSFET存在二次击穿问题

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2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

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电力MOSFET导通的条件是（）且（）。

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6、下面关于MOSFET的跨导gm，说法错误的是________。A．MOSFET跨导是静态参数B．表征了MOSFET的放大能力C．表示MOSFET将栅源电压转换为漏极电流的能力D．随MOSFET工作点变化而变化

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