关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。

关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。

相关考题：

场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。 () 此题为判断题(对，错)。
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使用晶体管时,下列哪些额定值不能超过?() A、电流放大系数βB、反向饱和电流ICBOC、反向击穿电压BUCEOD、耗散功率PCM
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二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。() 此题为判断题(对，错)。
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最大反向电流是指二极管加上最大反向工作电压时的反向电流，反向电流越大，说明二极管的单向导电性能越好。()
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在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200VB.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200VC.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200VD.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
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硅管的反向电流比锗管的反向电流大。（）
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描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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晶体管管帽上的色点表示该晶体管的（）A、电流放大系数B、反向饱和电流C、穿透电流
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硅二极管的反向电流比锗二极管大。
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区分硅管和锗管是通过测量BE结的（）。A、正向电流B、反向电流C、正向电阻D、反向电阻
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下列关于二极管的叙述，正确的是（）。A、二极管反向电流随温度的上升增长得很快B、反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定C、反向电流与反向电压成正比关系D、反向电压不超过某一范围时，反相电流与反向电压的高低元关E、反向电压不超过某一范围时，反向电压越大，反相电流也越高
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二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
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晶体二级管的两个最重要参数是（）A、正向电压和反向电流B、额定工作电流和反向工作电压C、正向电阻和正向电流D、反向电流和反向电压
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功率二极管主要参数包括（）。A、反向重复峰值电压VrrmB、通态平均电流ItC、反向漏电流IrsD、漏电流
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稳压管在反向接法时，当反向电压（）击穿电压时，反向电流很小，呈现电阻很大.当反向电压大于击穿电压时，反向电流剧增，而稳压管两端电压基本不便，具有稳定电压作用，这是它的反向击穿特性.
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温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反中向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（）
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当温度升高时，晶体管的β（），反向电流（），UBE（）
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在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
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晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的（）倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量（）。
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硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
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关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
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单选题硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流（）A大B小C相等D以上答案都不对
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填空题稳压管在反向接法时，当反向电压（）击穿电压时，反向电流很小，呈现电阻很大.当反向电压大于击穿电压时，反向电流剧增，而稳压管两端电压基本不便，具有稳定电压作用，这是它的反向击穿特性.
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多选题功率二极管主要参数包括（）。A反向重复峰值电压VrrmB通态平均电流ItC反向漏电流IrsD漏电流
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多选题下列关于二极管的叙述，正确的是（）。A二极管反向电流随温度的上升增长得很快B反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定C反向电流与反向电压成正比关系D反向电压不超过某一范围时，反相电流与反向电压的高低元关E反向电压不超过某一范围时，反向电压越大，反相电流也越高
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