晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时()极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f

晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时()极之间的反向饱和电流。

  • A、e和b
  • B、e和c
  • C、c和b
  • D、b和f

相关考题:

晶体管的反向饱和电流Icbo是指发射极e开路时( )之间的反向饱和电流。A.e极和b极B.e极和c极C.c极和b极D.b极和f极

关于BJT的一些主要的参数下面说法正确的是()。A、交流和直流电流放大倍数可以认为是一样的B、对于一般的放大电路放大倍数要达到200以上C、集电极-发射极反向饱和电流不受温度的影响D、集电极-基极反向饱和电流随着温度的增加而增加

当环境温度升高时,半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会()。A、增大B、减小C、不变D、反向

二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流为()。A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA

当三极管IE=0即()开路时,集电极反向饱和电流,用符号()表示。

()是衡量二极管质量优劣的重要参数,值越小,质量越好。A、正向电流B、反向饱和电流C、反向电流D、反向饱和电流

三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为(),β为电流放大倍数。 A、Iceo=Icbo;B、Iceo=(β+1)Icbo;C、Iceo=βIcbo;D、Iceo=(β-1)Icbo。

二极管反偏时,以下说法正确的是()A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小,称为反向饱和电流B、在达到死区电压之前,反向电流很小C、二极管反偏一定截止,电流很小,与外加反偏电压大小无关D、在达到反向击穿电压之前通过电流很大,称为反向饱和电流

三极管的反向饱和电流Icbo,是指发射极e开路时,()极之间的反向电流。A、e与bB、e与cC、c与bD、b与f

当环境温度升高时,三极管的反向饱和电流Iabo将会()。A、增大;B、减小;C、不变;D、反向。

温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()。

由于有漏电电流流动,使所谓的反向饱和电流密度(),从而减少了开路电压。

温度升高时,晶体管的反向饱和电流将()。A、增大B、减少C、不变D、不能确定

二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。

温度增加,极电极的反向饱和电流()。

二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、不变C、减小

晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的()倍,在选用晶体管的时候,一般希望ICBO尽量()。

关于稳压二极管的特性,下列说法中正确的有()A、它在正向击穿电压状态下工作B、当反向电压小于其击穿电压时,反向饱和电流近似为零C、当反向电压大于其击穿电压时,反向饱和电流急剧增大D、其内部结构与晶体三极管相似E、它在反向击穿电压状态下工作

三极管当()开路时,在集电结加反向电压时,这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流,用符号()表示。

在二极管上加反向电压时,在一定范围内,反向电流基本(),与反向电压的大小无关,通常称为反向饱和电流。

由二极管的特性曲线可以看出,当二极管的反向电压增加时,反向饱和电流()A、增加B、基本不变C、减少

测量二极管的反向饱和电流时,反向电压增加时,反向电流()。A、不变B、增大C、减小D、不一定

填空题当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO()所以Ic也()。

单选题温度升高时,晶体管的反向饱和电流将()。A增大B减少C不变D不能确定

单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A10μAB15μAC20μAD40μA