晶体三极管用于放大时,则()。 A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结正偏，基集反偏
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。 A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
如果晶体三极管的（），则该管工作于截止区。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
晶体管处于截面状态时，其集电结（）偏，发射结（）偏。A、正；反B、反；正C、正；正D、反；反
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
晶体三极管用于放大时则（）A、发射结反偏，基电结反偏。B、发射结正偏，基电结反偏。C、发射结正偏，基电结正偏。D、发射结反偏，基电结正偏。
在NPN型晶体三极管放大电路中，基极与发射极短路，则晶体管（）A、深度饱和B、将截止C、集电极正偏D、发射结反偏
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏
晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。
晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
如改变三极管基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反偏，则集电极电流（）A、反向B、中断C、增大D、不变
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
晶体三极管工作于饱和状态时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
三极管有饱和导通与截止状态，只要（）就能达到导通状态。A、发射极电压B、控制基极电流C、截止时集电极反偏D、发射结正偏E、集电结正偏
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A集电结正偏，发射结反偏B集电结反偏，发射集正偏C集电结，发射结均反偏D集电结，发射结均正偏
单选题工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A发射结正偏，集电结反偏B发射结反偏，集电结正偏C发射结、集电结均反偏D发射结、集电结均正偏
单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A发射结正偏，集电结正偏B发射结反偏，集电结反偏C发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏
单选题为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。A正／反B反／正C正／正D反／反
单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A发射结反偏，集电结正偏B发射结、集电结均反偏C发射结、集电结均正偏D发射结正偏，集电结反偏
单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A发射结正偏，集电结正偏B发射结反偏，集电结反偏C发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏