通常由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质主要有（）A、油脂，松香，蜡B、有机溶剂，浓酸，强酸C、硝酸，氢氟酸D、盐，水
通常由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质主要有（）
- A、油脂，松香，蜡
- B、有机溶剂，浓酸，强酸
- C、硝酸，氢氟酸
- D、盐，水
相关考题：
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
问答题简述硅片表面污染的来源。