瓦斯在煤层中的存在状态有()。 A.游离状态B.吸附状态C.游离状态和吸附状态D.自由运动状态
吸附塔杂质超载的主要原因有()。 A、进料温度高B、工艺阀门泄漏C、吸附时间短D、杂质规格超标
在沉淀过程中，为了除去易吸附的杂质离子，应采取的方法有()。A.将易被吸附的杂质离子分离掉B.改变杂质离子的存在形式C.在较浓溶液中进行沉淀D.洗涤沉淀
载体的酸洗主要是为了中和载体表面的碱性吸附点，同时除去载体表面的金属铁等杂质
如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶
影响吸附剂流化状态的有（）。A、吸附剂比表面积B、流化气量C、吸附剂密度D、吸附剂筛分
化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
胶粒带电的原因主要有下面两种情况，它们是（）A、选择性吸附和表面分子的解离B、表面的吸附和存在水化膜C、表面存在水化膜和表面分子的解离D、表面存在水化膜和选择性吸附
洗涤沉淀是为了洗去表面吸附的杂质及混杂在沉淀中的母液。
表面吸附与下列（）因素无关。A、杂质浓度B、沉淀的总表面积C、溶液温度D、容器大小
在沉淀过程中，为了除去易吸附的杂质离子，应采取的方法有（）。A、将易被吸附的杂质离子分离掉B、改变杂质离子的存在形式C、在较浓溶液中进行沉淀D、洗涤沉淀
沉淀表面吸附的杂质的浓度与吸附量的关系是（）。A、浓度越大，吸附量越多B、浓度越大，吸附量越少C、浓度越小，吸附量越多D、没有关系
在重量分析中，下面说法（）是错误的。A、杂质浓度越大，则吸附杂质的量越多B、同质量的沉淀，颗粒越大，则总表面越大，吸附杂质的量越多C、溶液温度升高，吸附杂质的量减少D、沉淀剂加入过快时，沉淀迅速长大，易使得杂质离子被包藏在沉淀内部
当混凝剂在水中形成胶体时，会吸附水中原有的胶体杂质， 称其为（）作用。A、中和B、表面接触C、吸附D、网捕
通常由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质主要有（）A、油脂，松香，蜡B、有机溶剂，浓酸，强酸C、硝酸，氢氟酸D、盐，水
洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A、沉淀剂B、沉淀表面吸附的杂质C、沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D、混杂在沉淀中的母液
下面影响沉淀纯度的叙述不正确的是（）。A、溶液中杂质含量越大，表面吸附杂质的量越大B、温度越高，沉淀吸附杂质的量越大C、后沉淀随陈化时间增长而增加D、温度升高，后沉淀现象增大
天然气水露点的测定中存在的杂质有（）A、液体杂质B、气体杂质C、固定杂质D、蒸汽状态的杂质
多选题天然气水露点的测定中存在的杂质有（）A液体杂质B气体杂质C固定杂质D蒸汽状态的杂质
单选题胶粒带电的原因主要有下面两种情况，它们是（）A选择性吸附和表面分子的解离B表面的吸附和存在水化膜C表面存在水化膜和表面分子的解离D表面存在水化膜和选择性吸附
判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A对B错
填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
单选题洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A沉淀剂B沉淀表面吸附的杂质C沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D混杂在沉淀中的母液