下列不是硅片主要切片方法的是（）。A、外圆切割B、内圆切割C、多线切割D、单线切割

下列不是硅片主要切片方法的是（）。

  • A、外圆切割
  • B、内圆切割
  • C、多线切割
  • D、单线切割

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下列各项不是超薄切片前的准备工作的是A、修块B、切厚片(半薄切片)C、正染色D、制刀E、载网和支持膜
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冷丙酮用于免疫荧光细胞化学染色时，选用下列哪种切片方法？( )A、火棉胶切片法B、石蜡切片法C、树脂包埋切片法D、冰冻切片法E、石蜡包埋半薄切片法
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免疫组织化学技术中最常用的制片方法是A．只有冷冻切片B．只有石蜡切片C．直接推片D．冷冻切片和石蜡切片E．以上都不是
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最常用的切片制备方法是A、冰冻切片和石蜡切片B、冰冻切片C、石蜡切片D、离心制片E、以上都是
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下列哪项不是观察木类药材显微组织结构时常用的方法()。A.横切片B. 径向纵切片C. 切向纵切片D.组织解离片E.斜向切片
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“要向硅片挑战，DNA还有很长的路要走”的意思是（ ）。A.DNA的计算速度远远落后于硅片B.硅片的工作效率低于DNAC.DNA的配置不如硅片D.DNA蕴含的信息不如硅片蕴含的信息多
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下列药物中蒸制的主要目的不是便于切片的是：A、木瓜B、天麻C、黄芩D、红参E、桑螵蛸
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能够使抗原最大量的保存,首选的组织制片方法是 A、石蜡切片B、火棉胶切片C、冷冻切片D、振动切片E、徒手切片
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关于冷冻切片和石蜡切片的区别，以下说法错误的是A、为使抗原达到最大限度的保存，首选冷冻切片B、石蜡切片适用于不稳定抗原C、石蜡切片是研究形态学的主要制片方法D、石蜡切片可用于回顾性研究E、以上均不正确
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关于冷冻切片和石蜡切片的区别，以下说法错误的是A.为使抗原达到最大限度的保存，首选冷冻切片B.石蜡切片适用于不稳定抗原C.石蜡切片是研究形态学的主要制片方法D.石蜡切片可用于回顾性研究E.以上均不正确
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在病理和回顾性研究中有较大实用价值的切片方法是A、冷冻切片B、石蜡切片C、振动切片D、塑料切片E、直接涂片
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硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？
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仔细观察切片机的切片过程，可以发现切片速度不是很稳定，主要原因是（）。A、系统气源压力不稳定B、管路密封性不好C、烟包松紧不一D、气体的可压缩性
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下列不是切片主要方法是（）A、外圆切割B、内圆切割C、多线切割D、单线切割
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在硅片的抛光过程中，下列因素中不是影响粗抛的主要因素是（）。A、粗抛液的浓度B、粗抛时间C、溶液的密度D、溶液的温度
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下列物质中能够导电的物体是（）A、纤维B、玻璃C、硅片D、铜线
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以下（）不是数据多维分析的方法。A、上探和下钻B、切片C、过滤D、旋转
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单选题硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
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判断题表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。A对B错
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问答题硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？
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填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
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单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
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问答题硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？
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填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
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单选题冷丙酮用于免疫荧光细胞化学染色时，选用下列哪种切片方法？（）A火棉胶切片法B石蜡切片法C树脂包埋切片法D冰冻切片法E石蜡包埋半薄切片法
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问答题采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？
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填空题硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
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