在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下P区的()向N区运动。A、电子B、空穴C、质子D、光子

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下P区的()向N区运动。

  • A、电子
  • B、空穴
  • C、质子
  • D、光子

相关考题:

利用反向偏压p-n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。 A、LEDB、LDC、PIND、APD

P-N结是什么?

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

在阴极斑点中,电子在()的作用下,得到足够的能量而逸出。A、电场和热能B、电场和磁场C、磁场和热能D、电场和光能

用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于

PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。

太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为()。A、耗尽区B、N区C、P-N结D、P区

当PN结及附近被光照时,若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对,在内电场作用下,电子、空穴分别漂移到()和(),使P端电势()N端电势(),以下正确的是()A、P区;N区;升高;降低B、N区;P区;升高;降低C、N区;P区;降低;升高D、P区;N区;降低;升高

光的()决定光的颜色,是由形成P-N结材料决定的。

太阳电池在入射光中每一种波长的光能作用下所收集到的光电流,与相应于入射到电池表面的该波长的光子数之比,称作太阳电池的(),也称为光谱灵敏度。

在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。

介质损失是绝缘介质()的能量损失。A、在直流电场作用下B、在交流电场作用下C、表面泄漏D、电容电流

用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于

P-n结的特点:()、()、光生伏特效应

填空题在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。内建电场的方向是从()区指向()区。

单选题简述光生伏特效应中正确的是()A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;Bp、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C平衡载流子破坏原来的热平衡;D非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A低于B等于或大于C大于

判断题光生伏特效应是光照引起P-N结两端产生电动势的效应。A对B错

单选题PN结光生伏特效应()。A电子集中的P区B电子集中的N区结表面C电子集中的P区表面D电子集中的N区表面

填空题在N型材料的PN结光伏效应中,光生电动势与内建电场的方向()。

问答题在导出P-N结的I-V特性时,全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。

单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。AP区;BN区;C结区;D中间区。

填空题光的()决定光的颜色,是由形成P-N结材料决定的。

单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A低于B等于或大于C大于D小于或等于