当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高
当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）
- A、P区；N区；升高；降低
- B、N区；P区；升高；降低
- C、N区；P区；降低；升高
- D、P区；N区；降低；升高
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X射线光子与物质发生相互作用的作用过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时，发生的作用形式是不同的。发生几率不足全部相互作用的5%的是A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用光电效应的发生条件是A、人射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等B、入射光子能量远远小于轨道电子结合能C、入射光子能量远远大于轨道电子结合能D、入射光子能量稍小于轨道电子结合能E、入射光子能量与外层轨道电子结合能相等当入射光子能量远远大于原子外层轨道电子的结合能时发生A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用当入射光子能量等于或大于1．02MeV时可以出现A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用当人射光子能量大于物质发生核反应的阈能时，会发生A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用
在湮灭辐射的论述中，不正确的是（）A、当一个粒子与其反粒子发生碰撞时，其质量全部转化为γ辐射能量B、正，反粒子发生碰撞产生γ辐射也是一种核反应C、正，负电子发生碰撞时，产生两个能量为0.511MeVγ光子D、正，负电子发生碰撞时，产生一个能量为1.022MeVγ光子E、只有静止能量的正，负电子在湮灭时，产生的两个γ光子运动方向相反
单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；Bp、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C平衡载流子破坏原来的热平衡；D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。AP区；BN区；C结区；D中间区。
判断题当高速电子的能量全部转换为x射线光子的能量时产生λ0，此时强度最大，能量最高。A对B错