用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于
用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
- A、低于
- B、等于或大于
- C、大于
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下列有关光子与物质相互作用描述正确的是()。 A、光子与物质原子核发生作用，产生光电效应B、光子与物质原子的内壳层电子发生作用，产生充电效应C、光子与物质原子的外壳层电子发生作用，产生光电效应D、以上都不对
以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
符合226镭特点的是（）A、产生光子，平均能量0.83MeV，半衰期1590年B、产生光子，平均能量1.25Mer，半衰期5.27年C、产生光子，平均能量0.36MeV，半衰期74.2天D、产生电子，平均能量2.28MeV，半衰期28.1年E、产生中子，平均能量2.35MeV，半衰期2.65年
单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；Bp、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C平衡载流子破坏原来的热平衡；D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。AP区；BN区；C结区；D中间区。
单选题光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负AP区BN区C中间区D结区
单选题符合252锎特点的是（）A产生光子，平均能量0.83MeV，半衰期1590年B产生光子，平均能量1.25MeV，半衰期5.27年C产生光子，平均能量0.36MeV，半衰期74.2天D产生电子，平均能量2.28MeV，半衰期28.1年E产生中子，平均能量2.35MeV，半衰期2.65年
单选题用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A低于B等于或大于C大于D小于或等于