P-N结是什么？

什么是储粮结露（粮堆结露）、露点温度和结露温差？造成储粮结露的原因是什么？

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LED的发光波长是由形成P－N结的半导体材料决定的,请问首先被制造出来的是什么样的LED?() A、红光LEDB、绿光LEDC、蓝光LEDD、黄光LED

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p-n结具有×××导电性。

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在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。

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一块完整的半导体一部份是（）型，另一部份是（）型的。在两部份相结合的地方，会形成一个叫做P-N结的（）。

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用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于

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半导体陶瓷的物理效应：（）、（）、（）、p-n结

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在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子

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在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。

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关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

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光的（）决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的。

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在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。

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下列温度传感器不属于非接触式温度传感器的是（）A、亮度式温度传感器B、比色式温度传感器C、P-N结温度传感器D、全幅射温度传感器

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什么是PN结？PN结的主要特性是什么？

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什么是PN结？PN结最基本的特性是什么？

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用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于

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P-n结的特点：（）、（）、光生伏特效应

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单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；Bp、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C平衡载流子破坏原来的热平衡；D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。

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填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。

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填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。

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