利用反向偏压p－n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。 A、LEDB、LDC、PIND、APD
利用反向偏压p－n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。
A、LED
B、LD
C、PIN
D、APD
相关考题：
PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子（电子空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生（）。因I层宽。加了反偏压后，空间电荷区加宽，绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生（）。漂移电流远远大干扩散电流，所以PIN光电二极管的灵敏度高。A．扩散电流、漂移电流B．扩散电流、扩散电流C．漂移电流、扩散电流D．漂移电流
光电检测器是外加反向偏压的PN结，当入射光作用时，发生受激吸收产生 光生电子-空穴对，这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流，同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层，在电场作用下形成扩散电流，这两部分电流之和为光生电流。
2、关于光照下PN结的伏安特性，下列说法正确的是（） （多选） A 第一象限中，PN结处于正向偏压作用下，作为光伏探测器工作在这个区域是没有意义的 B 第三象限中，PN结在反向偏压作用下，这种工作模式为光电导模式 C 第四象限中，PN结无外加偏压，这种工作模式称为光伏模式 D 以上说法都不正确
光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，最后趋近于反向饱和电流。（）