用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于

用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

  • A、低于
  • B、等于或大于
  • C、大于
  • D、小于或等于

相关考题:

利用反向偏压p-n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。 A、LEDB、LDC、PIND、APD

下列有关光子与物质相互作用描述正确的是()。 A、光子与物质原子核发生作用,产生光电效应B、光子与物质原子的内壳层电子发生作用,产生充电效应C、光子与物质原子的外壳层电子发生作用,产生光电效应D、以上都不对

若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

以下关于光电效应的叙述,哪一条是错误的()A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量

符合226镭特点的是()A、产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B、产生光子,平均能量1.25Mer,半衰期5.27年C、产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D、产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E、产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于

半导体陶瓷的物理效应:()、()、()、p-n结

在光的作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,引起物体电阻率的变化,这种现象称为()。A、磁电效应B、声光效应C、光生伏特效应D、光电导效应

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下P区的()向N区运动。A、电子B、空穴C、质子D、光子

为什么PN结会产生光伏特效应。

P-n结的特点:()、()、光生伏特效应

单选题在光的作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,引起物体电阻率的变化,这种现象称为()。A磁电效应B声光效应C光生伏特效应D光电导效应

单选题简述光生伏特效应中正确的是()A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;Bp、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C平衡载流子破坏原来的热平衡;D非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A低于B等于或大于C大于

多选题光子探测器有()类型。A外光电效应B内光电效应C光电导效应D光生伏特效应E磁光效应

判断题光生伏特效应是光照引起P-N结两端产生电动势的效应。A对B错

多选题用蓝色光照射某一金属表面时,产生光电效应,用绿色光照射时,不能产生光电效应,用下列各色光照射时,能产生光电效应的是(  ).A紫色光B橙色光C黄色光D红色光

单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带,导带B价带,禁带C禁带,导带D导带,价带

判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A对B错

单选题光照到某些金属或半导体材料上,若入射的光子能量足够大,致使电子从材料中逸出,称为()效应。A光电导效应;B光生伏特效应;C内光电效应;D光电发射。

单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。AP区;BN区;C结区;D中间区。

单选题光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负AP区BN区C中间区D结区

单选题符合252锎特点的是()A产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B产生光子,平均能量1.25MeV,半衰期5.27年C产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A低于B等于或大于C大于D小于或等于