试述什么是半导体中的扩散运动与漂移运动?

试述什么是半导体中的扩散运动与漂移运动?


相关考题:

载流子的漂移运动与扩散运动方向相同。() 此题为判断题(对,错)。

PN结加正向电压时,()。A、扩散运动大于漂移运动B、扩散运动小于漂移运动C、扩散运动与漂移运动平衡D、没有运动

载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为()。 A、漂移运动B、扩散运动

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

PN结加反向电压(数值小于击穿电压)时:()。A、空间电荷区变宽,漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄,漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄,扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽,扩散运动大于漂移运动

PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

PN结的宽度稳定后()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡

关于PN结的单向导电原理中,以下哪个描述正确()A、空间电荷区有利于扩散运动,不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动,不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时,空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时,空间电荷区变薄

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

在达到动态平衡的PN结内、漂移运动和扩散运动不再进行。()

PN结稳定以后,扩散运动和漂移运动就完全停止了。

下列关于分子扩散与分子热运动的比较与分析中不正确的是()A、没有分子热运动就不可能有分子扩散运动B、分子扩散与分子热运动都是一种无定向的运动C、分子扩散只能发生在非平衡体系D、无论体系平衡与否,分子热运动总是在进行

当PN结稳定以后,扩散运动和漂移运动就完全停止了。

半导体中的漂移运动是由于载流子()而引起的。

在外电场作用下,漂移电流主要是()运动引起,扩散电流主要是()运动引起。A、多子,少子B、少子,多子C、多子,多子D、少子,少子

半导体中的扩散运动是由于()而形成。

在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于()而产生的,漂移运动是()作用下产生的。

半导体中的扩散运动是由于载流子()而引起的。

在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是()作用下产生的,漂移运动是()作用下产生的。

当P型半导体和N型半导体联结在一起时,在它们交界处要发生电子和空穴的()。A、交换运动B、分配运动C、位移运动D、扩散运动

载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。A、漂移B、隧道C、扩散

问答题什么是扩散运动?什么是漂移运动?

单选题载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。A漂移B隧道C扩散

问答题漂移运动和扩散运动有什么不同?

单选题关于PN结的单向导电原理中,以下哪个描述正确()A空间电荷区有利于扩散运动,不利于漂移运动B空间电荷区有利于漂移运动,不利于扩散运动C当PN结两侧加正向电压时,空间电荷区变厚D当PN结两侧加反向电压时,空间电荷区变薄

填空题在半导体中漂移运动是指()的运动,扩散运动是指()的运动。

判断题当PN结稳定以后,扩散运动和漂移运动就完全停止了。A对B错