半导体中的扩散运动是由于载流子（）而引起的。
半导体中的扩散运动是由于载流子（）而引起的。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
填空题整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。