半导体中的扩散运动是由于（）而形成。
半导体中的扩散运动是由于（）而形成。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
关于扩散现象，下列说法正确的是（）A、温度越高，扩散进行得越快B、扩散现象是不同物质间的一种化学反应C、扩散现象是由物质分子无规则运动产生的D、扩散现象在气体、液体和固体中都能发生E、液体中的扩散现象是由于液体的对流形成的
多选题关于扩散现象，下列说法正确的是（）A温度越高，扩散进行得越快B扩散现象是不同物质间的一种化学反应C扩散现象是由物质分子无规则运动产生的D扩散现象在气体、液体和固体中都能发生E液体中的扩散现象是由于液体的对流形成的
判断题压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。A对B错