PN结加反向电压(数值小于击穿电压)时:()。A、空间电荷区变宽,漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄,漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄,扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽,扩散运动大于漂移运动

PN结加反向电压(数值小于击穿电压)时:()。

  • A、空间电荷区变宽,漂移运动大于扩散运动
  • B、空间电荷区变窄,漂移运动大于扩散运动
  • C、空间电荷区变窄,扩散运动大于漂移运动
  • D、空间电荷区变宽,扩散运动大于漂移运动

相关考题:

PN结加正向电压时,呈现小电阻,为导通状态;加反向电压时,呈现大电阻,为截止状态。() 此题为判断题(对,错)。

PN结具有单向导电性,加正向电压截止,加反向电压导电。() 此题为判断题(对,错)。

若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()

PN结具有()性能,即加正向电压时,形成的正向电流();加反向电压时,形成的反向电流()。

当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层() A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变

当在PN结上加正向电压时,PN结处于( )状态。A.击穿B.饱和C.截止D.导通

当电源正极接N区,负极接P区时,称为给PN结加反向电压或反向偏置。()

PN结P区的电位高于N区的电位称为(),简称正偏,此时电流从P区流到N区,PN结呈低阻性,所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流

稳压管是利用PN结的()特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流

PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽还是变窄?

PN结的单向导电性就是:加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

PN结具有()性能,即加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变

晶体二极管是由一个()作为管芯,其最主要的电特性是():加正向电压时PN结处于()状态,加反向电压PN结处于()状态。

PN结具有(),即加正向电压时,PN结处于(),加反向电压时,PN结处于()。

简述PN结反向电压—电流特性;反向饱和电流及方向;PN结的电压—电流特性。

硅稳压二极管工作在反向击穿状态,切断外加电压后,PN结仍处于反向击穿。()

PN结反向电压的数值增加,小于击穿电压时,()。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变

PN结反向击穿电压的数值增大,小于击穿电压,()。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄,当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽

当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。A、大于B、小于C、等于

PN结加反向电压,耗尽层将变厚。

如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()A、阻当层不变,反向电流基本不变B、阻当层变厚,反向电流基本不变C、阻当层变窄,反向电流增大D、阻当层变厚,反向电流减小

PN结反向电压的数值增大,但小于击穿电压时,()。A、其反向电流增加B、其正向电流增加C、其反向电流基本不变D、其反向电流减小

稳压管虽然工作在反向击穿区,但只要()不超过允许值,PN结不会过热而损坏。A、电压B、反向电压C、电流D、反向电流

二极管两端的反向电压一旦超过其最高反向电压,二极管的PN结立即击穿。

问答题PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽还是变窄?