载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。A、漂移B、隧道C、扩散

载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。

  • A、漂移
  • B、隧道
  • C、扩散

相关考题:

载流子的漂移运动与扩散运动方向相同。() 此题为判断题(对,错)。

PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

PN结加正向电压时,()。A、扩散运动大于漂移运动B、扩散运动小于漂移运动C、扩散运动与漂移运动平衡D、没有运动

载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为()。 A、漂移运动B、扩散运动

PN结反向工作时,流过的电流主要是()。 A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散与漂移电流并存

当P—N结承受反向电压时,其内部电流关系为()A.扩散电流大于漂移电流B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流D.无法确定

8)在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。( )

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

PN结加反向电压(数值小于击穿电压)时:()。A、空间电荷区变宽,漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄,漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄,扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽,扩散运动大于漂移运动

PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流流过,这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流通过,这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子中漂移运动产生的。

当二极管加正向电压时,二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。

PN结的宽度稳定后()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡

半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

在外电场作用下,漂移电流主要是()运动引起,扩散电流主要是()运动引起。A、多子,少子B、少子,多子C、多子,多子D、少子,少子

在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。

PN结中载流子的漂移运动是由于()而产生的。

在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于()而产生的,漂移运动是()作用下产生的。

PN结反向工作时,流过的电流主要是()A、扩散电流B、漂移电流C、传导电流D、扩散和漂移电流并存

二极管加正向电压时,其正向电流是由()。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成

在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是()作用下产生的,漂移运动是()作用下产生的。

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。

单选题载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。A漂移B隧道C扩散

单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移