突触后膜在某种递质作用下发生的局部去极化电位变化称为（）。
突触后膜在某种递质作用下发生的局部去极化电位变化称为（）。
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关于突触传递过程的叙述,错误的是()。 A.递质与突触后膜受体结合，打开某种离子通道B.突触前膜去极化，膜对钙离子的通透性减少C.胞内钙离子浓度增加促进囊泡向突触前膜移动D.突触后膜产生兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位E.囊泡内递质释放至突触间隙
抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化 B.Ca2＋流入突触前膜的量C.递质释放 SXB 兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化B.Ca2+流入突触前膜的量C.递质释放D.产生突触后电位E.Na+通透性增大
下列关于化学突触的叙述，错误的是A.突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSPB.突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSPC.细胞外Ca进入末梢轴浆内，触发突触囊泡的出胞D.突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象E.突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和
填空题突触后膜在某种递质作用下发生的局部去极化电位变化称为（）。