抑制性突触后电位是A．去极化局部电位B．超极化局部电位C．具有全或无特性D．突触后膜Na+通透性增加所致E．突触前膜递质释放减少所致
抑制性突触后电位是
A．去极化局部电位
B．超极化局部电位
C．具有全或无特性
D．突触后膜Na+通透性增加所致
E．突触前膜递质释放减少所致
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抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征SXB 抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征D.突触前膜递质释放减少所致E.突触后膜对Na+通透性增加所致
兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化
抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
单选题下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A是局部除极化电位B具有全或无性质C是局部超极化电位D由突触前膜递质释放量减少所致E由突触后膜对钠通透性增加所致