下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A、是局部去极化电位
B、具有"全或无"性质
C、是局部超极化电位
D、由突触前膜递质释放量减少所致
E、是局部去极化电位
相关考题：
抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
抑制性突触后电位A.是去极化局部电位B.有“全或无”性质C.是超极化局部电位D.是突触前膜递质释放量减少所致