关于抑制性突触后电位，以下正确的是A.是局部去极化电位B.是局部超极化电位C.由突触前膜递质释放量减少所致D.由突触后膜对钠通透性增加所致

关于抑制性突触后电位，以下正确的是

A.是局部去极化电位
B.是局部超极化电位
C.由突触前膜递质释放量减少所致
D.由突触后膜对钠通透性增加所致

参考解析

解析：

相关考题：

下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A．是局部去极化电位 B具有“全或无”性质C.是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
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请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是
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下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位
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由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
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产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
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下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
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关于遗嘱继承的基本要求，以下陈述正确的是( )。关于遗嘱继承的基本要求，以下陈述正确的是( )。
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A.KB.NaC.CaD.ClE.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。A.B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是
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关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。A.具有全或无性质B.属去极化局部电位C.由突触后膜对Na+通透性增加所致D.属超极化局部电位E.由突触前膜递质释放量减少所致
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触后膜出现复极化
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抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
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下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A、是局部除极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、由突触后膜对钠通透性增加所致
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抑制性突触后电位
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抑制性突触后电位（IPSP）
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单选题下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）A是局部去极化电位B具有全或无性质C是局部超极化电位D由突触前膜递质释放量减少所致E是局部去极化电位
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单选题关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。A突触前轴突末梢超极化B对Ca2+、K+通透性增大C突触后膜出现超极化D突触后膜去极化E突触后膜出现复极化
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单选题关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（　　）。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成D棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成E棘波、慢波是由突触前电位构成
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