静态随机存储器可以用双极型器件构成，也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比，下面哪一项不是它的特点( )A．工艺较简单B．集成度较低C．存取速度低D．功耗比较大
PIN器件本身噪声的主要来源（）。A、背景电流B、热噪声C、暗电流D、过剩噪声
以下元器件哪些是湿敏元器件？（）A、BGAB、排容C、电阻D、MOS管E、PCB
一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
问答题在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？
问答题MOS管的主要噪声是什么？分别是如何产生的？如何减小？
判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。A对B错
判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A对B错
问答题按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A增大B减小C不变D先减小后增大
问答题如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
问答题MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？
问答题MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换，双极型器件是否也具有同样的特点？若没有，请说明原因。