型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
管压降是指二级管导通时的（）A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
硅二极管的正向压降是（）。A、0.7VB、0.2VC、1V
PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。A、0.2～0.3；B、0.4；C、0.6～0.7；D、0.5。
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
LED数码管的使用与发光二极管相同，根据其材料不同正向压降一般为（）V，额定电流为（）mA，最大电流为（）mA。
PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。A、0.2～0.3B、0.4C、0.6～0.7D、0.5
单选题光电耦合器的正向管压降一般在（）V以下。A30B5C1.5
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A1VB0.2VC0.6V
单选题硅二极管的正向压降是（）。A0.7VB0.2VC1V
单选题功率二极管的正向压降Ud约为（）。A0.7VB3VC4VD5V
单选题在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A0.1V／0.5VB0.2V／0.5VC0.5V／0.7VD0.5V／1.0V
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错