二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
硅二极管的型号为ZP100—8F,指的是其额定电流为100A,额定电压800V,正向平均电压(),()的硅整流二极管。
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
二极管在正向电压作用下处于()状态。如果不计二极管的正向压降,它相当于开关处于()状态。
单选题在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。A0.1~0.2V/0.3VB0.2~0.3V/0.7VC0.3~0.5V/0.7VD0.5V/0.7V
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
填空题硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。