N沟道MOSFET管的导通条件是（）。A、Uc＞Us，UCs=0.6~0.7VB、Uc＞Us，UCs=0.45—3VC、Uc＜US，UcS=0.6—0.7VD、Uc＜Us，Ucs=0.45—3V
N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
- A、
- B、Uc＞Us，UCs=0.45—3V
- C、Uc＜US，UcS=0.6—0.7V
- D、Uc＜Us，Ucs=0.45—3V
相关考题：
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
单选题N沟道MOSFET管的导通条件是（）。AUc＞Us，UCs=0.6~0.7VBUc＞Us，UCs=0.45—3VCUc＜US，UcS=0.6—0.7VDUc＜Us，Ucs=0.45—3V
填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。