功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

功率场效应晶体管一般为()。

A、N沟道耗尽型

B、N沟道增强型

C、P沟道耗尽型

D、P沟道增强型


相关考题:

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

功率场效应晶体管一般为()。 A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

在MOSFET放大电路中,当vGS为正值时, 电路不可能正常放大。A.N沟道增强型MOSFETB.N沟道耗尽型MOSFETC.P沟道增强型MOSFETD.P沟道耗尽型MOSFET

当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型

11、当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

8、当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型

1、MOSFET有N沟道和P沟道两种,下面说法错误的是()。A.N沟道中载流子是电子B.P沟道中载流子是空穴C.N沟道有增强型和耗尽型D.P沟道只有耗尽型

6、当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型