可控硅换相过电压保护是（）和（）。

可控硅换相过电压保护是（）和（）。

相关考题：

硅整流元件工作时存在换相过电压,因此在每一整流桥臂上并联RC阻容保护元件,吸收和抑制过电压。() 此题为判断题(对，错)。
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由于倒闸操作而引起的过电压，称之为（）过电压。A操作B换相C设备
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电容换相换流器的技术特点（）。A、功率因数高B、换相失败的几率小C、无功补偿容量小D、甩负荷时的过电压小
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可控硅电铲的相序保护装置是怎么起作用的？
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在可控硅整流电路中，使用晶闸管应有（）保护A、过电压B、过电流C、短路D、以上三种
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过电压的共同特点是时间长、峰值高，因此可控硅过电压保护电路大多数采用电容电感吸收电路。
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VDCOL的主要功能是（）。A、在交流系统出现干扰或干扰消失后使系统保持稳定B、在交直流故障切除后，为快速、可控的再启动创造条件C、在连续换相失败时避免可控硅过电压D、防止恢复过程中发生连续换相失败
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在直流输电中，可控硅的保护性触发指的是（）。A、避免可控硅承受过电压及时触发相应的可控硅B、正常导通时的触发C、投入旁通对D、换相失败时误触发
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高压直流输电按不同的换相方式可分为（）。A、电网换相和器件换相B、整流换相和逆变换相C、外部换相和自身换相D、大角度换相和小角度换相
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晶闸管可控整流电路承受的过电压为换相过电压、操作过电压、交流侧过电压等几种。
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功率整流装置应设交流侧过电压保护和换相过电压保护，每个支路应有快速熔断器保护，快速熔断器动作特性不需与被保护元件过流特性相配合。
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整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。
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在可控硅整流电路的交流输入端、直流输出端及元件上接有RC电路，其作用是（）。A、滤波；B、提高功率因数；C、过电压保护；D、移相。
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通用热继电器可对三相交流电动机进行（）。A、断相保护和过载保护B、过温升保护和过载保护C、过电压保护和断相保护D、过温度保护和过电压保护
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电力电子装备中可能发生的外因过电压包括换相过电压和关断过电压。
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晶闸管可控整流电路承受的过电压为（）。A、换相过电压、交流侧过电压与直流侧过电压B、换相过电压、关断过电压与直流侧过电压C、交流过电压、操作过电压与浪涌过电压D、换相过电压、操作过电压与交流侧过电压
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晶闸管可控整流电路承受的过电压为（）中所列举的这几种A、换相过电压、交流侧过电压与直流侧过电压B、换相过电压、关断过电压与直流侧过电压C、交流过电压、操作过电压与浪涌过电压D、换相过电压、操作过电压与交流侧过电压
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R101B-2抽屉电加热可控硅过电压保护动作，你应该检查的过电压保护是（）A、交流侧阻容吸收B、可控硅元件两端阻容C、接地阻容
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保护性触发是指可控硅承受过电压后，还没有被触发导通，为避免可控硅受过电压损坏，（）利用就地保护触发功能及时触发可控硅；同时，还有一个PF信号送给THM。
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硅整流元件工作时存在换相过电压，因此在每一整流桥臂上并联RC阻容保护元件，吸收和抑制过电压。
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单选题由于倒闸操作而引起的过电压，称之为（）过电压。A操作B换相C设备
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填空题可控硅换相过电压保护是（）和（）。
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判断题硅整流元件工作时存在换相过电压，因此在每一整流桥臂上并联RC阻容保护元件，吸收和抑制过电压。A对B错
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判断题过电压的共同特点是时间长、峰值高，因此可控硅过电压保护电路大多数采用电容电感吸收电路。A对B错
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判断题电力电子装备中可能发生的外因过电压包括换相过电压和关断过电压。A对B错
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单选题通用热继电器可对三相交流电动机进行（）。A断相保护和过载保护B过温升保护和过载保护C过电压保护和断相保护D过温度保护和过电压保护
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填空题整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。
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