在可控硅整流电路中，使用晶闸管应有（）保护A、过电压B、过电流C、短路D、以上三种
在三相桥式半控整流电路中，每个晶闸管应有（）保护A、过电压B、过电流C、短路D、以上三种
由于倒闸操作而引起的过电压，称之为（）过电压。A、操作B、换相C、设备
变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（）对晶闸管的损坏。A、关断过电压B、交流侧操作过电压C、交流侧浪涌
在可控整流电路中，使用晶闸管应有（）保护。A、过电压B、过电流C、短路D、以上三种
功率整流装置应设交流侧过电压保护和换相过电压保护，每个支路应有快速熔断器保护，快速熔断器动作特性不需与被保护元件过流特性相配合。
全控型器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压称为（）。A、操作过电压B、雷击过电压C、换相过电压D、关断过电压
单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（）。 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（）。
整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。
并联于整流元件两端的RC电路，可以吸收元件换相时产生的过电压。
单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（）。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（）。（电源相电压为U2）
在可控硅整流电路的交流输入端、直流输出端及元件上接有RC电路，其作用是（）。A、滤波；B、提高功率因数；C、过电压保护；D、移相。
变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（）损坏晶闸管。A、关断过电压B、交流侧操作过电压C、不变
晶闸管可控整流电路承受的过电压有（）等。A、直流侧过电压B、关断过电压C、操作过电压D、浪涌过电压E、瞬时过电压
晶闸管可控整流电路承受的过电压为（）。A、换相过电压、交流侧过电压与直流侧过电压B、换相过电压、关断过电压与直流侧过电压C、交流过电压、操作过电压与浪涌过电压D、换相过电压、操作过电压与交流侧过电压
晶闸管整流电路防止过电压的保护元件，长期放置产生“贮存老化”的是压敏电阻。
晶闸管可控整流电路承受的过电压为（）中所列举的这几种A、换相过电压、交流侧过电压与直流侧过电压B、换相过电压、关断过电压与直流侧过电压C、交流过电压、操作过电压与浪涌过电压D、换相过电压、操作过电压与交流侧过电压
硅整流元件工作时存在换相过电压，因此在每一整流桥臂上并联RC阻容保护元件，吸收和抑制过电压。
单选题由于倒闸操作而引起的过电压，称之为（）过电压。A操作B换相C设备
单选题变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（）对晶闸管的损坏。A关断过电压B交流侧操作过电压C交流侧浪涌
单选题变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（）损坏晶闸管。A关断过电压B交流侧操作过电压C不变
判断题并联于整流元件两端的RC电路，可以吸收元件换相时产生的过电压。A对B错
填空题单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（）。 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（）。
填空题整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。