整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中,由于载流子()而产生的过电压。

整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中,由于载流子()而产生的过电压。


相关考题:

硅整流元件工作时存在换相过电压,因此在每一整流桥臂上并联RC阻容保护元件,吸收和抑制过电压。() 此题为判断题(对,错)。

并联于整流元件两端的RC电路,可以吸收元件换相时产生的过电压。() 此题为判断题(对,错)。

在半导体内部,只有电子是载流子。() 此题为判断题(对,错)。

下列关于内部过电压叙述正确的是()。A、操作过电压叫做内部过电压;B、在系统操作或故障情况下,可能会出现操作过电压;C、谐振过电压是由于电力网中的电容元件和电感元件(特别是带铁芯的铁磁电感元件)参数的不利组合而产生的谐振;D、在故障情况下一定会出现操作过电压。

快速熔断器主要用于半导体元件或整流装置的短路保护。()

由于倒闸操作而引起的过电压,称之为()过电压。A、操作B、换相C、设备

晶闸管可控整流电路承受的过电压为换相过电压、操作过电压、交流侧过电压等几种。

功率整流装置应设交流侧过电压保护和换相过电压保护,每个支路应有快速熔断器保护,快速熔断器动作特性不需与被保护元件过流特性相配合。

变流装置本身是谐波源,在整流换相过程中暂短时间内将交流供电网络相间短路,这就造成电压波形的陷波畸变(换相缺口)。

并联于整流元件两端的RC电路,可以吸收元件换相时产生的过电压。

整流装置产生的内部过电压由并联于元件两端的()进行保护。

SS7E型电力机车整流装置的每一晶闸管和整流管元件上均并联有RC吸收器,用来限制硅元件换向过程中产生的过电压。

在对可控整流电路进行分析过程中,认为是理想的情况,即()。A、功率元件导通压降为0B、功率元件关断时阻抗无穷大C、忽略整流电路的换相过程D、以上都不对

热敏电阻正是利用半导体的载流子数目随着温度变化而变化的特性制成的()敏感元件。

半导体中的扩散运动是由于载流子()而引起的。

180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在()元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在()上的元件之间进行的。

晶闸管可控整流电路承受的过电压为()。A、换相过电压、交流侧过电压与直流侧过电压B、换相过电压、关断过电压与直流侧过电压C、交流过电压、操作过电压与浪涌过电压D、换相过电压、操作过电压与交流侧过电压

在电力网中,由于其电容元件和电感元件参数的不利组合,引起谐振,从而产生的过电压称为内部过电压。

晶闸管可控整流电路承受的过电压为()中所列举的这几种A、换相过电压、交流侧过电压与直流侧过电压B、换相过电压、关断过电压与直流侧过电压C、交流过电压、操作过电压与浪涌过电压D、换相过电压、操作过电压与交流侧过电压

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

硅整流元件工作时存在换相过电压,因此在每一整流桥臂上并联RC阻容保护元件,吸收和抑制过电压。

单选题由于倒闸操作而引起的过电压,称之为()过电压。A操作B换相C设备

判断题SS7E型电力机车整流装置的每一晶闸管和整流管元件上均并联有RC吸收器,用来限制硅元件换向过程中产生的过电压。A对B错

填空题整流装置产生的内部过电压由并联于元件两端的()进行保护。

判断题硅整流元件工作时存在换相过电压,因此在每一整流桥臂上并联RC阻容保护元件,吸收和抑制过电压。A对B错

判断题并联于整流元件两端的RC电路,可以吸收元件换相时产生的过电压。A对B错

填空题整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中,由于载流子()而产生的过电压。