简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
下列材料中电阻率最低的是（）。A、铝B、铜C、多晶硅D、金
青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）A、一B、二C、三D、四
目前大多数集成电路生产中，所采用的基本材料为（）。A、非晶硅B、单晶硅C、多晶硅D、硫化镉
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
可采用二氧化硅和碳作为原材料，在大型电弧炉中进行冶炼获得的硅材料是（）A、单晶硅B、多晶硅C、冶金级硅D、非晶硅
光伏电站的电池组件是（）材料。A、多晶硅B、单晶硅C、薄膜D、砷化钾
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
问答题解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？
问答题在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
判断题多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。A对B错
问答题为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？
单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A整个多晶硅的长度B多晶硅中两个引线孔中心点的距离C多晶硅中两个引线孔内侧的距离D多晶硅中两个引线孔外侧的距离
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
单选题目前大多数集成电路生产中，所采用的基本材料为（）。A非晶硅B单晶硅C多晶硅D硫化镉
判断题侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。A对B错
问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A第一层多晶硅的面积B第二层多晶硅的面积C二层多晶硅重叠后的面积