场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
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一般情况下这些变化都可以从避雷器的哪几种电气参数的变化上反映出来（）A、在运行电压下，泄漏电流阻性分量峰值的绝对值增大B、在运行电压下，泄漏电流谐波分量明显增大C、运行电压下的有功损耗绝对值增大D、运行电压下的总泄漏电流的绝对值增大，但不一定明显
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管；B、晶体三极管；C、场效应晶体管；D、双向晶闸管。
单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A结型场效应晶体管，简称JFETB绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC结型场效应晶体管JGFETD绝缘栅型场效应晶体管JGFET
单选题（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A半导体二极管B晶体三极管C场效应晶体管D双向晶闸管
判断题电子管栅负压是加在栅阴极之间的工作电压，有控制屏流的作用。A对B错