场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
关于滤线栅栅比的叙述，错误的是A.是栅条高度与栅条间隔之比B.是滤线栅的几何特性之一C.栅比越大消除散射线的作用越好D.栅比也称曝光倍数E.高电压摄影应使用大栅比滤线栅
丙类工作状态的栅偏压比截止栅压更负,若振荡管采用固定栅偏压,管子将恒处于饱和状态。() 此题为判断题(对，错)。
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
当外加阳极电压一定时,将栅极电压由零逐渐降低,阳极电流也减少,当栅极电压为某一负值时(Ug0),阳极电流降为零,此时对应的负栅偏压叫()栅压。 A.饱和B.截止C.动态D.静态
不符合胸部正位成像技术条件标准的是A、管电压取70～80kVpB、滤线栅取10∶1以上的栅比C、选用大宽容度屏/片组合，相对感度400D、3.0mm铝E、采用自动曝光控制(AEC)
关于滤线栅栅比的叙述，下列哪项错误A．是栅条高度与栅条间隔之比B．是滤线栅的几何特性之一C．栅比越大消除散射线作用越好D．栅比亦称曝光倍数E．高电压摄影应使用大栅比滤线栅
不符合胸部正位成像技术条件标准的是A.管电压取70~80kVB.滤线栅取10:1以上的栅比SXB 不符合胸部正位成像技术条件标准的是A.管电压取70～80kVB.滤线栅取10：1以上的栅比C.选用大宽容度屏一片组合，相对感度400D.X线管总滤过不低于3．0mmAlE.采用自动曝光控制(AEC)
关于滤线栅栅比的叙述，错误的是A.是铅条高度与铅条间隔之比B.是滤线栅的几何特征之一C.栅比越大消除散射线作用越好D.栅比亦称曝光倍数E.高电压摄影使用高栅比滤线栅
关于滤线栅栅比的叙述，错误的是（）A、是栅条高度与栅条间隔之比B、是滤线栅的几何特性之一C、栅比越大消除散射线的作用越好D、栅比也称曝光倍数E、高电压摄影应使用大栅比滤线栅
关于滤线栅栅比的叙述下列哪项错误（）A、是栅条高度与栅条间隔之比B、是滤线栅的几何特性之一C、越大消除散射线作用越好D、栅比亦称曝光倍数E、高电压摄影应用大栅比滤线栅
光导摄影管的结构不包括（）A、加热阴极和控制极B、加速阳极和聚焦阳极C、栅网电极和光电导靶D、光电阴极和输入屏E、管体与引出线
交流接触器的栅片灭弧原理是由于触点上方的铁质栅片磁阻很小，电弧上部磁通大都进入栅片，使电弧周围空气中的磁场分布形式上疏下密，将电弧拉入灭弧栅。电弧被栅片分割多若干短弧，使起弧电压（），电源电压并产生阴极效应，栅片又大量吸收电弧的热量，所以电弧被熄灭。
电子管作为放大器工作，若固定栅偏压高于截止栅压，而且在栅极输入整个变化过程中电子管都处于导电状态，这样的工作状态叫（）类工作状态。A、甲B、乙C、甲乙D、丙
当外加阳极电压一定时，将栅极电压由零逐渐降低，阳极电流也减少，当栅极电压为某一负值时（Ug0），阳极电流降为零，此时对应的负栅偏压叫（）栅压。A、饱和B、截止C、动态D、静态
静电喷涂法式以接地的（）为阳极，涂料雾化器或电栅作为阴极，接上负高电压，在两极间形成高电场。
关于滤线栅栅比叙述错误的是（）A、是栅条高度与栅条间距之比B、是滤线栅的几何特性之一C、越大消除散射线能力越强D、也称曝光倍数E、高电压时应用大栅比
交流接触器的栅片灭弧原理是由于触点上方的铁质栅片磁阻很小，电弧上部磁通大都进入（），使电弧周围空气中的磁场分布形式上疏下密，将电弧拉入灭弧栅。电弧被栅片分割多若干短弧，使起弧电压高于电源电压并产生阴极效应，栅片又大量吸收电弧的（），所以电弧被熄灭。
在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
单选题光导摄影管的结构不包括（）A加热阴极和控制极B加速阳极和聚焦阳极C栅网电极和光电导靶D光电阴极和输入屏E管体与引出线
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
判断题电子管栅负压是加在栅阴极之间的工作电压，有控制屏流的作用。A对B错
单选题关于滤线栅栅比的叙述下列哪项错误（）A是栅条高度与栅条间隔之比B是滤线栅的几何特性之一C越大消除散射线作用越好D栅比亦称曝光倍数E高电压摄影应用大栅比滤线栅
单选题不符合胸部正位成像技术条件标准的是（）。A管电压取70～80kVpB滤线栅取10∶1以上的栅比C选用大宽容度屏/片组合，相对感度400D3.0mm铝E采用自动曝光控制（AEC）
单选题关于滤线栅栅比的叙述，错误的是（）A是栅条高度与栅条间隔之比B是滤线栅的几何特性之一C栅比越大消除散射线的作用越好D栅比也称曝光倍数E高电压摄影应使用大栅比滤线栅
填空题静电喷涂法式以接地的（）为阳极，涂料雾化器或电栅作为阴极，接上负高电压，在两极间形成高电场。