场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。 A.增大B.不变C.减小
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将() A.增大B.不变C.减小D.不确定
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
一个内阻为0.5Ω的电压源，其开路电压为15V。则当负载电流为4A时，负载电压为（）A、15VB、13VC、17VD、2V
一电压源的串联内阻为5Ω，当电压是（）时，可把它等效变换成电流为5A的电流源A、12.5VB、10VC、20VD、25V
单个酸性蓄电池的电压正常情况下应保持在（），当电压下降到（）时，需充电。A、2.1V；1.9VB、1.2V；1VC、2V；1.8VD、1V；0.8V
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
源电动势为2V，内电阻是0.1Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别为（）A、0、2VB、B、202VC、C、200D、0、0
晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性（）。A、电压微变，电流微变B、电压微变，电流剧变C、电压剧变，电流微变D、电压不变，电流剧变
与一电流源并联内阻为2Ω，电流源的电流是5A，可把它等效变换成（）的电压源A、5VB、0.4VC、10VD、2.5V
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）A、增大B、不变C、减小D、无法确定
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错