单选题()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A半导体二极管B晶体三极管C场效应晶体管D双向晶闸管

单选题
()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。
A

半导体二极管

B

晶体三极管

C

场效应晶体管

D

双向晶闸管


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。() 此题为判断题(对,错)。

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种

单极型晶体管又称为()管,其导电沟道有()沟道和()沟道。

场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

场效应管的类型按沟道分为()型和()型;按结构分有()型和()型;按uGS=0时有无导电沟道分为()型和()型。

结型场效应管利用删源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流

结型场效应管的基本工作原理是()A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积

结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小,从而实现UGS和ID的控制。

当uGS=0时,漏源间存在导电沟道的称为()型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为()型场效应管。

当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。

根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。

场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。

JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。

EMOS管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。

下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管;B、晶体三极管;C、场效应晶体管;D、双向晶闸管。

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。

单选题结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道电阻。A反偏电压B反向电流C正偏电压D正向电流

单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

填空题单极型晶体管又称为()管。其导电沟道分有()沟道和P沟道。

单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为()AP沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管BP沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

单选题()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A半导体二极管;B晶体三极管;C场效应晶体管;D双向晶闸管。

多选题按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?()A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道

问答题MESFET的有源层是如何形成的?它的导电沟道是如何控制的?

填空题按电导率的大小,可将材料划分为导体(电导率())、半导体(电导率())、绝缘体(导电率())。