()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管;B、晶体三极管;C、场效应晶体管;D、双向晶闸管。

()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。

  • A、半导体二极管;
  • B、晶体三极管;
  • C、场效应晶体管;
  • D、双向晶闸管。

相关考题:

场效应管是利用半导体的导电能力受电场影响而变化的原理制成的。() 此题为判断题(对,错)。

正确叙述半导体的是()。 A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

下列说法正确的是()。A、在电场的作用下,由电介质组成的绝缘间隙丧失绝缘性能形成导电通道的现象称为击穿B、击穿电压是指使绝缘击穿的最高临界电压C、发生击穿时在绝缘中的最大平均电场强度叫做击穿场强D、以上说法都正确

气体绝缘的最大优点是击穿后,外加电场消失,绝缘状态很快恢复。

在自然界中,存在着很多不同的物质,用其导电能力来衡量,可以分为()。A、导体和绝缘体B、导体和半导体C、绝缘体和半导体D、导体、绝缘体和半导体

在外电场作用下,能够很好地传导电流,电阻率小于10-6Ωm的材料叫做()。A、绝缘体B、半导体C、导体D、超导体

半导体就是其导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

导电膏是一个新型的()。A、电工材料B、绝缘材料C、半导体材料D、磁性材料

绝缘材料在电场中,由于老化,泄露电流及高场强区局部放电所产生的热损耗等的作用,当电场强度超过某数值时,就会在绝缘中形成导电通道而使绝缘破坏,这种现象称为绝缘的击穿。

绝缘介质在电场作用下,其导电性能用绝缘电阻率ρ表示

所谓半导体是指()。A、只能向一个方向导电的物质B、外加高电压,几乎没有电流通过的物质C、导电性介于导体和绝缘体之间的物质D、具有整流体作用的物质

单极型晶体管又称为()管,其导电沟道有()沟道和()沟道。

关于场效应管下面说法正确的是()。A、是一种半导体三极管B、是利用电场效应来控制其电流大小C、其输入阻抗极高D、便于集成E、其输入阻抗低F、不便于集成

物质按其导电性能有()。A、导体B、绝缘体C、半导体D、超导体

场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压

结型场效应管的基本工作原理是()A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积

半导体有两种导电方式:在外加电场作用下将形成()电流。

场效应管是一种利用()来控制其电流大小的半导体器件。

对半导体的叙述正确的是()。A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

绝缘体不导电是有前提的,其是否导电主要与()有关。A、原子核对外围电子束缚力的大小B、其温度的高低C、外加电压的高低D、其湿度的高低

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。

问答题简述能带理论,并解释导体,绝缘体和半导体的导电性。

单选题()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A半导体二极管;B晶体三极管;C场效应晶体管;D双向晶闸管。

单选题半导体是导电性能介于金属和绝缘体之间的物质。按这个定义,下面说法错误的是()。A某种溶液的导电性能不如金属,又不是绝缘体,所以,这种溶液是半导体B汞的导电性能大大小于铝、铜、铁等金属材料,所以汞是半导体物质C干燥的木块不导电,将木块弄潮湿后开始导电,但导电性能远不如铝、铜、等金属材料。有人说,“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的D在纯结晶状态的硅中掺人某些元素原子后,会由不导电变为导电。但它在某一个方向导电比另一个方向容易些,而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属,所以,硅是半导体物质

问答题MESFET的有源层是如何形成的?它的导电沟道是如何控制的?

单选题高压交联电缆的导电线芯表面覆盖半导电层,其目的是()。A增加导电线芯的导电半径B加强导电线芯与绝缘之间的合力C使电场均匀,降低突出部分的电场强度