双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。

  • A、均为电压控制
  • B、均为电流控制
  • C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制
  • D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

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S7－200采用()型输出时,既可以驱动直流负载,又可以驱动交流负载。 A、场效应晶体管B、晶闸管型C、继电器D、A或B
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双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
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三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制
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双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
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绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
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场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
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常用的电子开关有（）。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管
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下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
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请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
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绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
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单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
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问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
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多选题常用的电子开关有（）。A继电器B双极型晶体管CMOS场效应晶体管D二极管
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填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A对B错
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填空题请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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判断题场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。A对B错
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填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）AP沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管BP沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
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单选题双极型半导体器件是（）。A二极管B晶体管C场效应晶体管D稳压管
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填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
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单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A结型场效应晶体管，简称JFETB绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC结型场效应晶体管JGFETD绝缘栅型场效应晶体管JGFET
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