干氧氧化法具备以下一系列的优点()。A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好B、生长的二氧化硅干燥C、生长的二氧化硅结构致密D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜E、生长的二氧化硅掩蔽能力强

干氧氧化法具备以下一系列的优点()。

  • A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好
  • B、生长的二氧化硅干燥
  • C、生长的二氧化硅结构致密
  • D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
  • E、生长的二氧化硅掩蔽能力强

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矿尘中对人体危害最大的成分是()。 A、二氧化硅B、游离二氧化硅C、氯化钾

下列因素中哪个与矽肺的发病直接无关A.二氧化硅含量B.结合型二氧化硅C.二氧化硅浓度D.二氧化硅分散度E.接触二氧化硅的工龄

哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强A、游离二氧化硅B、结合二氧化硅C、结晶型游离二氧化硅D、隐晶型游离二氧化硅E、无定型游离二氧化硅

二氧化硅的种类及类型不同,对人体的危害作用也不同,哪一种致纤维化作用最强:()A、非结晶型二氧化硅B、结晶型二氧化硅C、游离型二氧化硅D、结合型二氧化硅E、其它

二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?

下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些()。A、干氧氧化B、湿氧氧化C、水汽氧化D、与氧化方法无关

二氧化硅膜的质量要求有()。A、薄膜表面无斑点B、薄膜中的带电离子含量符合要求C、薄膜表面无针孔D、薄膜的厚度达到规定指标E、薄膜厚度均匀,结构致密

二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。A、降低B、增加C、不变D、先降低后增加

干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子B、氧化的速度慢C、生长的二氧化硅缺陷多D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差

球团矿的碱度是指球团矿中()的比值。A、二氧化硅含量与氧化钙含量B、氧化钙含量与二氧化硅含量C、二氧化硅含量与氧化镁含量D、氧化镁含量二氧化硅与含量

二氧化硅的种类及类型不同,对人体的危害作用也不同,哪一种致纤维化作用最强().A、非结晶性二氧化硅B、结合型二氧化硅C、结晶型二氧化硅D、游离型二氧化硅

离子交换器排水装置垫层的石英砂质量要求是()。A、二氧化硅含量在95%以上B、二氧化硅含量在9%以上C、二氧化硅含量在90%以上D、二氧化硅含量在50%以上

低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。()

随着石料中二氧化硅含量提高,石料与沥青的粘附性()。酸性石料中二氧化硅含量(),与沥青的粘附性()。碱性石料中二氧化硅含量(),与沥青的粘附性()。粘附性试验室内采用()和()。

问答题简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点,通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层?

判断题在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。A对B错

判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。A对B错

单选题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于()。A结晶形二氧化硅B无定形二氧化硅

判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A对B错

单选题哪种二氧化硅致纤维化作用最强?(  )A游离二氧化硅B结合二氧化硅C结晶型游离二氧化硅D无定型游离二氧化硅E隐晶型游离二氧化硅

单选题哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强?(  )A游离二氧化硅B结合二氧化硅C结晶型游离二氧化硅D隐晶型游离二氧化硅E无定型游离二氧化硅

单选题下列因素中与矽肺的发病无直接关系的是(  )。A二氧化硅含量B二氧化硅类型C上述粉尘浓度D结晶二氧化硅E接触上述粉尘的工龄

问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些()      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③

单选题二氧化硅的种类及类型不同,对人体的危害作用也不同,哪一种致纤维化作用最强().A非结晶性二氧化硅B结合型二氧化硅C结晶型二氧化硅D游离型二氧化硅

单选题离子交换器排水装置垫层的石英砂质量要求是()。A二氧化硅含量在95%以上B二氧化硅含量在9%以上C二氧化硅含量在90%以上D二氧化硅含量在50%以上

单选题二氧化硅的种类及类型不同,对人体的危害作用也不同,哪一种致纤维化作用最强:()A非结晶型二氧化硅B结晶型二氧化硅C游离型二氧化硅D结合型二氧化硅E其它