填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

填空题
常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?()A、高斯函数B、余误差函数C、指数函数D、线性函数

恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。A、高斯B、余误差C、指数

在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()

在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于()。A、推挤扩散B、杂质扩散C、填隙扩散D、自扩散

在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散

连续稳态扩散常常用高斯烟羽模型,下面属于高斯烟羽模型基本假设的是()。A、在整个的扩散空间中,风速是均匀不变的B、污染源的源强是连续的、均匀的C、地表面充分平坦D、在扩散过程中污染物的质量是不变的,即烟气到达地面全部反射,不发生沉降和化学反应

在催化裂化反应过程中,原料分子到催化剂内表面的过程,称为()。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散

在催化裂化反应过程中,原料分子到催化剂内表面的过程,称为()过程。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散

在催化裂化反应过程中,产品分子自催化剂内表面脱离的过程,称为()。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散

在催化裂化反应过程中,原料分子由主气流到催化剂表面的过程,称为()。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散

在焊接过程中,氢的扩散包括()A、浓度扩散B、相变诱导扩散C、应力诱导扩散D、气体扩散

扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型

恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,()保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物

干燥过程中,坯体水分由从坯体内部迁移到表面,称为外扩散。

下列过程中,()能使烧结产物强度增大而不产生致密化过程。()A、蒸发-凝聚B、体积扩散C、粘性(塑性)扩散D、表面扩散

在催化裂化反应过程中,产品分子自催化剂内表面脱离的过程,称为()过程。A、吸附B、脱附C、外扩散D、内扩散

填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

单选题电池车间扩散工序所用的扩散方式是()。A喷涂磷酸水溶液后链式扩散B三氯氧磷液态源扩散C丝网印刷磷浆料后链式扩散

判断题基区主扩散属于有限表面源扩散。A对B错

名词解释题恒定源扩散

名词解释题恒定表面源扩散

判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A对B错

多选题下列过程中,()能使烧结产物强度增大而不产生致密化过程。()A蒸发-凝聚B体积扩散C粘性(塑性)扩散D表面扩散

名词解释题有限表面源扩散

判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量,而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A对B错

填空题有限表面源扩散的杂质分布服从()分布。

填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

判断题干燥过程中,坯体水分由从坯体内部迁移到表面,称为外扩散。A对B错