对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。
下列杂质元素中,对钢的性能有利的是()。 A、锰B、硅C、硫D、磷E、氧
下列杂质中,属于一般杂质的有A.氯化物B.硫酸盐C.铁盐D.砷盐 下列杂质中，属于一般杂质的有A.氯化物B.硫酸盐C.铁盐D.砷盐E.重金属
半导体硅常用的施主杂质是（）。A、锡B、硫C、硼D、磷
对于锗和硅半导体来说，最常用的一类杂质是（）、（）和（）等元素。这些元素加入后，半导体变成N型半导体了。
对于锗和硅半导体来说，最常用的另一类杂质是（）、（）和（）等元素。这些元素加入后，半导体变成P型半导体了。
PN结空间电荷区是（）。A、电子和空穴构成；B、正电荷和负电荷构成；C、施主离子；D、施主杂质原子和受主杂质原子构成。
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
下列材料属于N型半导体是（）。A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
半导体硅常用的受主杂质是（）。A、锡B、硫C、硼D、磷
化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。A、锡B、硼C、磷D、锰
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟
对于碳素结构钢，有害杂质元素是（）A、硫B、硅C、锰D、硼
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
在本征半导体中掺入微量的磷、锑、砷（）杂质时的半导体，称为（）。
单选题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。A施主B受主C复合中心D两性杂质
填空题SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
单选题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）A杂质电离B杂质补偿C载流子复合D载流子迁移
单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（） ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。