当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大

当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。

  • A、载流子数增加，电阻减小
  • B、载流子数减少，电阻减小
  • C、载流子数增加，电阻增大
  • D、载流子数减少，电阻增大

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电子型半导体又叫P型半导体,空穴型半导体又叫N型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。() 此题为判断题(对，错)。
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在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）A、N型半导体B、P型半导体C、PN结D、导体
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怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
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P型半导体是电子型半导体。
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气敏半导瓷材料氧化锡是（）型半导体。
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在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成（）。A、N型半导体B、PN结C、P型半导体D、导体
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半导体晶体管所以具有单向导电性，是因为制造时使用特殊工艺，将P型半导体与N型半导体结合在一起，从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。
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1N4007中的“1”表示含义为（）的数量。A、PN结B、P型半导体C、N型半导体D、管子封装材料
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氧化型气体吸附到N型半导体上，将使载流子数目（），从而使材料的电阻率（）．
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将硼元素掺进硅晶体内，则成为何种半导体？（）A、N型B、P型C、本质型半导体D、NPN型
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基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。
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霍尔传感器通常选择（）材料制作。A、N型半导体B、P型半导体C、金属导体D、导体和半导体
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为了增大霍尔元件的灵敏度，霍尔元件多选用（）制作。A、金属材料B、绝缘材料C、N型半导体D、P型半导体
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P型半导体材料导电的载流子是空穴。
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霍尔元件多采用P型半导体材料。
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由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
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半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
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半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
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当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
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P型半导体是由半导体晶体材料中掺入（）而生成。A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、电子
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填空题气敏半导瓷材料氧化锡是（）型半导体。
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填空题P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。
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填空题氧化型气体吸附到N型半导体上，将使载流子数目（），从而使材料的电阻率（）．
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填空题半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
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判断题基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。A对B错
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单选题N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）A相等B小C大
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