当MOSFET的栅极电压较大时,随着温度的温度升高,漏极电流将()。

当MOSFET的栅极电压较大时,随着温度的温度升高,漏极电流将()。


参考答案和解析
减小

相关考题:

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定

MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板

一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10

当环境温度升高时,二极管的反向电流将() A、增大B、减小C、不变

功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极;B.漏极;C.栅极;

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

当温度升高,硅二极管的反向饱和电流将()。A、减小B、不变C、增加D、取决于外加电压值

当温度升高后,二极管的正向电压减小,反向电流增大。

场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。

当二极管反向接法时,反向电流随()变化较大。A、电压B、温度C、电阻D、电容

硅稳压二极管的稳定电压U,与温度有关,当温度变化时,U将随着变化。

场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。A、原极;B、漏极;C、栅极;

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。

场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

当温度升高后,二极管的正向电压(),反向电流()。

PN结的反向漏电流()而急剧增大。A、随着电压的升高B、随着电压的降低C、随着温度的升高D、随着温度的降低

随着温度的升高,二极管反向电流几乎不变即与温度无关。

填空题在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

单选题当二极管反向接法时,反向电流随()变化较大。A电压B温度C电阻D电容

判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错

单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压

多选题功率MOSFET的极限参数指的是()。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压