电力MOSFET的三个端子是栅极G、源极S、漏极D。

电力MOSFET的三个端子是栅极G、源极S、漏极D。


参考答案和解析
错误

相关考题:

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

晶闸管的三个引出电极分别是()。 A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极

场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极

MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板

一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极,基极,集电极;B.发射极,栅极,集电极;C.源极,栅极,漏极;D.阴极,门极,阳极。

场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

场效应管的三个极分别为?()A、发射极B、栅极C、源极D、漏极

功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

三极管的三个极是()。A、同相输入极、反相输入极、输出极B、发射极、基极、集电极C、阳极、阴极、控制极D、栅极、漏极、源极

绝缘栅场效应管的栅极与源极和()之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极

场效应管有三个电极,哪个不属于其中之一?()A、栅极B、基极C、漏极D、源极

MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()A、栅极(G)B、漏极D.C、C.基极D、源极(S)

场效应管共漏极放大电路的信号是从()A、栅极输入,漏极输出B、源极输入,漏极输出C、栅极输入,源极输出D、漏极输入,源极输出

从栅极输入,从漏输出的是共()极电路;从栅极输入,从源极输出的是共漏极电路。

下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

IGBT的3个引出电极分别是()A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极   栅极C、栅极、源极  漏极D、发射极、栅极、集电极

晶闸管的3个引出电极分别是()A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极

晶闸管三个电极分别叫做().A、阳极阴极和控制极B、阳极阴极和栅极C、屏极阴极和控制极D、漏极源极和栅极

场效应管的源极S、栅极G、漏极D,分别对应于晶体管的()。A、射极、基极和集电极B、基极、射极和集电极C、集电极、基极和射极

电力场效应晶体管有三个引脚,分别为()、栅极G、漏极D。

功率场效应管的三个引脚符号为()A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G

判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错

单选题IGBT的3个引出电极分别是()A阳极、阴极、门极B阳极、阴极   栅极C栅极、源极  漏极D发射极、栅极、集电极

单选题MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()A栅极(G)B漏极D.CC.基极D源极(S)

单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极